TOPLED LS T670, LO T670, LY T670 LG T670, LP T670

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1 TOPLED LS T670, LO T670, LY T670 Besondere Merkmale Gehäusebauform: PLCC2 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter und Linseneinkopplung für alle SMTBestück und Löttechniken geeignet gegurtet (8mmFilmgurt) Störimpulsfest nach DIN Features PLCC2 package color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) load dump resistant acc. to DIN VPL06724 Semiconductor Group

2 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Luminous Intensity I V (mcd) Lichtstrom Luminous Flux Φ V (mlm) Bestellnummer Ordering Code LS T670HK LS T670J LS T670K LS T670L LS T670JM superred colorless clear Q62703Q2309 Q62703Q2357 Q62703Q2358 Q62703Q3848 Q62703Q3849 LO T670HK LO T670J LO T670K LO T670L LO T670JM orange colorless clear Q62703Q2310 Q62703Q2475 Q62703Q2476 Q62703Q3850 Q62703Q3851 LY T670HK LY T670J LY T670K LY T670L LY T670JM yellow colorless clear Q62703Q2311 Q62703Q2376 Q62703Q2375 Q62703Q3098 Q62703Q3852 LG T670HK LG T670J LG T670K LG T670L LG T670JM green colorless clear Q62703Q2312 Q62703Q2377 Q62703Q2378 Q62703Q3146 Q62703Q3853 LP T670FJ LP T670G LP T670H LP T670J LP T670GK pure green colorless clear Q62703Q2619 Q62703Q3102 Q62703Q2555 Q62703Q2553 Q62703Q2456 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min 2.0. Semiconductor Group 2

3 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t 10 µs, D = Sperrspanung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PCboard* ) (Padgröße 16 mm 2 ) mounted on PC board* ) (pad size 16 mm 2 ) Symbol Symbol Werte Values T op C T stg C T j C I F 30 ma I FM 0.5 A V R 5 V Einheit Unit P tot 100 mw R th JA 400 K/W * ) PCboard: FR4 Semiconductor Group 3

4 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission Dominantwellenlänge Dominant wavelength Spektrale Bandbreite bei 50 % I rel max Spectral bandwidth at 50 % I rel max Symbol Symbol Werte Values LS LO LY LG LP λ peak nm λ dom nm λ nm Einheit Unit Abstrahlwinkel bei 50 % I v (Vollwinkel) 2ϕ Grad Viewing angle at 50 % I v deg. Durchlaßspannung Forward voltage Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Kapazität Capacitance V R = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: I V from 10 % to 90 % I V from 90 % to 10 % I F = 100 ma, t p = 10 µs, R L = 50 Ω (max.) (max.) V F 2.0 V F 2.6 I R 0.01 I R V V µa µa C pf t r 300 t f ns ns Semiconductor Group 4

5 Relative spektrale Emission I rel = f (λ), T A = 25 C, Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik I rel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5

6 Durchlaßstrom I F = f (V F ) Forward current T A = 25 C Relative Lichtstärke I V /I V(10 ma) = f (I F ) Relative luminous intensity T A = 25 C Zulässige Impulsbelastbarkeit I F = f (t p ) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, T A = 25 C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current I F = f (T A ) Semiconductor Group 6

7 Wellenlänge der Strahlung λ peak = f (T A ) Wavelength at peak emission Dominantwellenlänge λ dom = f (T A ) Dominant wavelength Durchlaßspannung V F = f (T A ) Forward voltage Relative Lichtstärke I V / I V(25 C ) = f (T A ) Relative luminous intensity Semiconductor Group 7

8 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GPL06724 Kathodenkennung: Cathode mark: abgeschrägte Ecke bevelled edge Semiconductor Group 8