CHAPTER 2: BIPOLAR JUNCION TRANSISTOR DR. PHAM NGUYEN THANH LOAN
|
|
- Benjamin Skinner
- 5 years ago
- Views:
Transcription
1 CHAPTER 2: BIPOLAR JUNCION TRANSISTOR DR. PHAM NGUYEN THANH LOAN Hanoi, 9/24/2012
2 Contents 2 Structure and operation of BJT Different configurations of BJT Characteristic curves DC biasing method and analysis Base bias Collector-feedback bias Voltage divider bias AC signal analysis Impact of other parameters (temperature, leakage currents) The content of these slides are based on the book titled Electronics Devices and Circuit theory of Robert Boylestad
3 Structure and operation of BJT 3 BJT structure BJT :Bipolar Junction Transistor 2 kinds of BJT: NPN & PNP 3 terminals: E, B và C E: Emitter; B: Base, C: Collector Base located in the middle: thinner than E & C; and lower dope
4 Structure and operation of BJT 4 Bias condition for 2 junctions: J BE & J BC Junction BE in forward bias: electrons (e) move from E region to B region to create the current I E (diffusion current; flow of majority carriers) Junction BC in reverse bias: e that moved from E to B then move from B to C to create the current I C (drift current, flow of minority carriers) The combination of some electrons with holes in B region creates the current I B So: I E = I C + I B
5 Structure and operation of BJT 5 BJT symbol I B I C I E 3 terminals: B, E và C Arrow instructs the current direction between B & E Conventional current is the flow of positive charges (holes) NPN: B E PNP: E B
6 Technical parameters 6 I E = I C + I B I C = αi E + I CBO I C = βi B β = (may be higher) I C αi E (neglect leakage I CBO ) α = β is DC current gain α is DC current transfer coefficient 1
7 Technical parameters 7 I E = I C + I B I C = αi E + I CBO I C = β*i B β = (may be higher) I C αi E (neglect leakage I CBO ) α = β is DC current gain α is DC current transfer coefficient 1
8 8 BJT as an amplifier Different amplifier configurations 3 configurations Common emitter (CB) Common base (CB) Common collector (CC) Look at the input and output to distinguish these configurations Configuration BC EC CC Input E B B Output C C E
9 9 CE configuration E is used in common for in and out Input: r e is considered as AC resistor of diode BE r e =26mV/I E Output: I c = βi b 9
10 CE configuration small signal 10 Z i = U be /I b βi b r e /I b βr e (~ n100ω nkω) Z o = r o (ignore in r e model) A v = - R L /r e (r o ) A i = I c /I b = β Characteristics + Z i, Z o average + A v, A i high 10
11 Characteristic curves: CE 11 Input and output characteristic curves of CE configuration 11
12 Characteristic curves: CE 12 0<V CE <0.7V: Junction BE starts moving to forward bias I C increases gradually V CE >0.7V: Junction BE is in FB and Junction BC in reverse I C = β*i B
13 CB configuration 14 B is used in common for in and out Input: r e is considered as AC resistor of diode BE r e =26mV/I E Isolation between in and out Output: I c =αi e 14
14 CB configuration 15 1) Z i = r e (nω-50 Ω) 2) Z o = r o (nmω) 3) A v = αr L /r e R L /r e quite big, U o & U i in phase 4) A i = -α 1 15
15 Characteristic curves: CB 16 Input and output characteristic curves of CB configuration
16 17 CC configuration Similar to CE configuration Refer to Electronic Devices Thomas Floyd 17
17 Limits of operation 18 Two limits: cut-off region Saturation region
18 Cutoff and saturation 19 Cutoff state Saturation state
19 20 DC bias: DC operating point & DC load line
20 DC bias 21 A transistor must be properly biased in order to operate as an amplifier DC bias can be considered as supply power to BJT so that NPN: V E < V B < V C (J E : in Forward; J C : in Reverse bias) PNP: V E > V B > V C DC bias is characterized by Q-point (DC operating point) and DC load line
21 DC bias 22 NOTES: REMEMBER some equations: V BE 0,6 0,7V (Si) ; 0,2 0,3(Ge) I E = I C + I B I C = βi B There 3 types of bias circuits Base bias Collector-feedback bias Voltage divider bias I C αi E Question: How many amplifier circuits can be designed?
22 23 3 types of baising Base bias Voltage divider bias Collector feedback bias
23 Example of DC bias 24 Q1. What are the amplifier configuration of these circuits? Q2. What kind of DC bias? And then draw DC equivalent circuit. (a) (b) (c) Question 3: How many amplifier circuits can be designed?
24 25 Base bias Consider the analysis for only EC configuration (similar analysis can be obtained for BC and CC)
25 Base bias 26 BE loop: Vcc I B R B U BE = 0 I B = (Vcc - U BE )/R B I C =β*i B CE loop: U CE = Vcc - I C R C
26 Voltage divider bias 27 Method 1: Thevenin equivalent circuit: * Group R1, R2 and Vcc can be considered as follows: R BB =R 1 //R 2 V BB = V cc * R 2 /(R 1 +R 2 ) Now it is similar to base-bias analysis Current and voltage do not depend on β Method 2: Approximative analysis If β*r 2 10R 2 -> I 2 I 1 V BB =V cc *R 2 /(R 1 +R 2 ) V E =V BB -U BE I c I e =V e /R e U CE =V cc - I C (R C +R E )
27 Collector-feedback bias 28 BE loop: (1) V cc - I c R C I B R B U BE I E R E =0 (2) I C = β *I B ; I E I C (3) Kirchoof cho dòng tại C: I C = I B + I c I c = I C - I B = (β-1)i B (1)+(2)+(3) I B = (Vcc - U BE )/[R B + β(rc+re)] CE loop: U CE = Vcc I C (R C +R E ) Quite stable
28 Example 29 Analyze the following circuit and then determine its Q- point and DC loadline
29 Example 30 Analyze the following circuit and then determine its Q- point and DC loadline
30 31 Analysis by method 1
31 Example 32 Analyze the following circuit and determine its Q-point and DC loadline
32 Example 33 Analyze the following circuit and determine its Q-point and DC loadline
33 Example 34 Analyze the following circuit and determine its Q-point and DC loadline
34 35 AC analysis (Small signal analysis)
35 Small signal analysis 36 Small signal analysis: Small signal refers to AC signal with small amplitude that take up a relatively small percentage of an amplifier s operation range (compared to DC power supply) The operation region on amplifier should be in linear BJT model for small signal analysis Represent the BJT by an equivalent circuit that allows to visualize and analyze the operation of BJT as an amplifier
36 Example of CE configuration 37 Output and input signal is out of phase Output signal is amplified
37 Gain and impedances 38
38 AC equivalent circuit Setting all DC sources to zero 2. Replacing all capacitors by a short-circuit equivalent (wire) 3. Regrouping all elements (resistors) in parallel (introduced by step 1 and 2) 4. Redrawing the network in a more convenient and logical form
39 AC analysis 40 BJT amplifier is considered linear be able to be analyzed DC and AC separately (using superposition theorem) Different approaches Using graphical determination method Using equivalent circuits r E model Hybrid equivalent model (quite popular in the past)
40 AC analysis methods Graphical Analysis 41 Q-point and DC load-line Quiescent point (Q-point) is fixed on the output characteristic curve and corresponding to a fixed collector-to-emitter voltage (V CE ) DC load-line is used to describe the DC operation of BJT, a straight line from saturation point (I C =I Cmax, y-axe) to cutoff point (V CE =V CEmax, x-axe) Q-point : intersect between DC load line and characteristic curve DC load line vs. AC load line DC load line: V CE = V CC I C R C AC load line: V CE = V CC - I c (R C //R L )
41 AC analysis methods Graphical determination 42 Input and output characteristic curves of EC config. 42
42 AC load line determination 43 AC load line (Slope_AC: 1/(Rc //Rtai) DC load line (slope= 1/Rc) Q N AC loadline is steeper than DC loadline Graphically: ON = OQ + QN where QN = I C-Q /Slope_AC = IQ*(Rc//Rtai) A straight line through Q_point and N : AC load line
43 AC analysis methods Graphical determination 44 Q_point deplacement when R c, V cc, I B vary respectively Variation of R C Variation of V CC Variation of I B 44
44 AC analysis methods Graphical determination 45 Basing on input and output characteristic curves determine small signal input and output waveform 45
45 AC analysis methods Graphical determination 46 Δv be Δi b Δv ce Δi c A i = i o /i i = Δi c /Δi b A V = v o /v i = Δv ce /Δv be Z in = v i /i i = Δv be /Δi b Z out = v o /i o = Δv ce /Δi c 46
46 AC analysis methods Graphical determination 47 Impact of Q point on AC output signal Q closed to cutoff BJT is closed to OFF operation, with a very small AC input amplitude output voltage is distorsed (is cut) at upper-part Q closed to saturation BJT is closed to saturation operation, with a very small AC input amplitude output volage is distorsed (is cut) at lower-part Large-signal may be cut at upper and lower part
47 AC analysis 48 BJT amplifier is considered linear be able to be analyzed DC and AC separately (using superposition theorem) Different approaches Using graphical determination method Using equivalent circuits r E model Hybrid equivalent model (quite popular in the past)
48 Two-port model 49 Most used for small signal analysis Characterized by 2 input terminals and 2 output terminals (4 -terminals model) The common terminal is used for input and output
49 Remind: AC equivalent circuit Setting all DC sources to zero 2. Replacing all capacitors by a short-circuit equivalent (wire) 3. Regrouping all elements (resistors) in parallel (introduced by step 1 and 2) 4. Redrawing the network in a more convenient and logical form ` ` `
50 Remind: AC equivalent circuit 51 Equivalent circuit after step 1 and 2 Equivalent circuit after step 3 and 4??????????????????
51 AC analysis 52 BJT amplifier is considered linear be able to be analyzed DC and AC separately (using superposition theorem) Different approaches Using graphical determination method Using equivalent circuits r E model Hybrid equivalent model (quite popular in the past)
52 AC analysis methods Hybrid equivalent model 53 U & I relation: I v I r U i =h 11 I i +h 12 U o U v 2 ports U r I o =h 21 I i +h 22 U o h ij is determined at a given operating point (can be different from Q_point) Index e (or b, c) illustrated for CE topology (or CB, CC)
53 AC analysis methods Hybrid equivalent model 54 Parameters EC BC CC h 11 (h i ) 1kΩ 20Ω 1kΩ h 12 (h r ) 2,5x10-4 3x h 21 (h f ) 50-0,98-50 h 22 (h o ) 25μA/V 0,5μA/V 25μA/V 1/h 22 40kΩ 2MΩ 40kΩ
54 AC analysis methods Hybrid equivalent model 55 Other names of h ij Read part 7.6, chapter 7 for further understanding h i h r V i h f I in h 0
55 AC analysis methods Y equivalent model 56 I and V relation: I v =y 11 U v +y 12 U r I r =y 21 U v +y 22 U r Refer to chapter 7 Boylestad s book.
56 AC analysis methods r E model 57 BJT is modeled by a diode and current source Input : BE junction is characterized by a diode in Forward bias Output: dependent current source where controlled current is input current that is expressed by I c = βi b or I c =αi e. 3 configurations: EC; BC và CC
57 AC analysis methods r E model 59 EC BC CC c e c c e b 59 e
58 AC analysis methods r E model 60 Refer to T model as learnt in Electronics Devices Course Determine Rin & Iout =f(iin) to obtain r e model EC BC CC e c c c e Input: ib, vb Output: ic, vc Rin = vb/ib = βr e iout = ic = βi = βib b Input: ie, ve Output: ic, vc Rin = ve/ie = r e iout = ic = αi in = αi e e Input: ib, vb Output: ic, vc Rin = vb/ib = βr e
59 AC analysis methods r E model 61 Analyze EC 61
60 EC configuration with fixed biasing 62 EC 62
61 EC configuration with fixed biasing 63 T model (learnt in Electronics Devices Courses) 63
62 EC configuration with fixed biasing 64 1) Z i = R b βr e if R b 10βr e, Z i βr e 2) Z o = R c r o if r o 10R c, Z o R c 3) A v = - (R c r o )/r e - R c /r e (β appered in r e ) U i & U o out of phase180 o 4) A i = βr b r o / [(r o +R c )(R b +βr e )] β (I i current source. I o collector current)
63 65 EC configuration with fixed biasing
64 66 EC configuration with voltage divider
65 67 EC configuration with voltage divider
66 EC configuration with voltage divider 68 1) Z i = R 1 R 2 βr e = R βr e 2) Z o = R c r o (If r o 10R c, Z o R c ) 3) A v = - (R c r o )/r e - R c /r e Similar to EC with fixed biasing βr /(R + βr e ) β if r o 10R c if R 10 βr e
67 69 EC configuration with voltage divider
68 70 EC configuration with feedback biasing
69 71 EC configuration with feedback biasing
70 72 EC configuration with feedback biasing 1) Z i = r e /(1/β+R c /R f ) 2) Z o = R c //R f 3) A v = -R c /r e 4) A i = βr f /(R f + βr c ) R f /R c if βr c >> R f When r o r o in equation
71 AC analysis methods r E model 73 Analyze BC 73
72 BC configuration 74 74
73 BC: small signal model 75 75
74 Analyze BC configuration 76 1) Z i = R e r e Trở kháng vào tương đối nhỏ 2) Z o = R c Trở kháng ra lớn 3) A v = αr c /r e R c /r e Tương đối lớn U i & U o cùng pha 4) A i = - α -1 Không khuếch đại dòng 76
75 77 Analyze CC 77
76 78 CC configuration with fixed biasing
77 79 CC configuration with fixed biasing
78 80 CC configuration with fixed biasing Analyze output impedance
79 81 CC configuration with fixed biasing V o
80 82 CC configuration with fixed biasing 1) Z i = R b [βr e +(β+1)r e ] R b β(r e +R e ) High input impedance 2) Z o = R e r e r e vì R e >> r e Low output impedance 3) A v = R e /(R e +r e ) 1 Inphase with input and smaller amplitude => emitter connection 4) A i = - βr b /[R b + β(r e +R e )] Application: Buffer
81 83 Example: Determine Ai, Av, Zi, Zo?
82 84 Example: Determine Ai, Av, Zi, Zo?
83 Example: Determine Ai, Av, Zi, Zo? 85
84 86 Example: Determine Ai, Av, Zi, Zo?
85 87 Example: Determine Ai, Av, Zi, Zo?
86 88 Impact of temperature and other effects
87 Ảnh hưởng của các yếu tố 89 kỹ thuật đến hoạt động thiết bị Ảnh hưởng của cấu trúc BJT: Vật liệu chế tạo: Ge, Si Mức độ pha tạp Kích thước BJT Ảnh hưởng của tần số làm việc Ảnh hưởng của thời gian sử dụng Ảnh hưởng của độ ổn định nguồn Ảnh hưởng của nhiệt độ
88 Các ảnh hưởng khác 90 Ảnh hưởng của tần số làm việc Xét trong phần đáp ứng tần số Ảnh hưởng của thời gian sử dụng Ảnh hưởng của độ ổn định nguồn Gây méo tín hiệu ra Ảnh hưởng của cấu trúc BJT: Vật liệu chế tạo: Ge, Si V be, β,nhiệt độ Mức độ pha tạp áp, dòng, β,nhiệt độ Kích thước BJT độ lớn của dòng
89 Ảnh hưởng của nhiệt độ 91 Nhiệt độ ảnh hưởng nhiều đến các tham số thiết bị Khi nhiệt độ tăng: Hệ số β tăng Dòng dò I cbo tăng Điện áp V be giảm gây ra sự không ổn định của mạch do sự dịch chuyển của điểm làm việc Q chất lượng tín hiệu ra giảm Đối với BJT chế tạo từ Si, β chịu ảnh hưởng nhiều của nhiệt độ
90 Ổn định nhiệt 92 Ở nhiệt độ phòng Khi T = 100 o C
91 Hệ số ổn định 93 S(I co )=ΔI c /ΔI cbo ảnh hưởng nhiều đến BJT dùng Germani S(U be )=ΔI c /ΔU be ảnh hưởng ít S(β)= ΔI c /Δβ ảnh hưởng nhiều đến BJT dùng Silic Tổng ảnh hưởng đến dòng I c ΔI c =S(I co )* ΔI cbo + S(U be )*ΔU be + S(β)*Δβ
92 94 Ổn định hoạt động BJT Hồi tiếp âm điện áp hoặc dòng điện (thêm R E tại cực E) Làm mát - bằng quạt hoặc nước Ổn định nguồn cung cấp Chọn BJT thích hợp với ứng dụng (công suất cao hay thấp, môi trường và nhiệt độ làm việc etc.)
93 Ổn định bằng hồi tiếp âm điện áp 95 Ổn định chế độ một chiều bằng điện trở R E
94 96 Ổn định bằng hồi tiếp âm điện áp
95 97 Ổn định bằng hồi tiếp âm điện áp
96 98 Ổn định bằng hồi tiếp âm điện áp Z i = R B //β(r e +R E ) Z o = R C A v = -R C /(r e +R E ) A i = βr B /[R B + β(r e +R E )] Trở kháng vào tăng nhưng hệ số khuếch đại điện áp giảm => sử dụng tụ để ngắn mạch R E ở chế độ xoay chiều
97 99 Sơ đồ CE dùng tụ ngắn mạch R E
98 Thiết kế mạch phân cực có R E ổn định nhiệt 100 Điện áp rơi trên điện trở emittor cỡ ¼ đến 1/10 điện áp nguồn cung cấp
99 Thiết kế mạch phân cực phân áp 101 Điện áp rơi trên điện trở emittor cỡ ¼ đến 1/10 điện áp nguồn cung cấp 10R 2 < βr E
100 102 Bài tập Chương 3: 3, 5, 11, 14, 21, 28, 30, 33 Chương 4: 5, 6, 7, 10, 11, 14, 19, 26, 28, 32, 33 Chương 7: 6, 8, 10, 23 Chương 8: 1, 4, 7, 11, 14, 15, 16, 19, 28
101 103 Tóm Tắt (p. 383, sách của tác giả Boylstad)
102 104
103 105
CHAPTER 3: BIPOLAR JUNCION TRANSISTOR DR. PHẠM NGUYỄN THANH LOAN
CHAPTER 3: BIPOLAR JUNCION TRANSISTOR DR. PHẠM NGUYỄN THANH LOAN Hanoi, 9/24/2012 Contents 2 Structure and operation of BJT Different configurations of BJT Characteristic curves DC biasing method and analysis
More informationVÔ TUYẾN ĐIỆN ĐẠI CƯƠNG. TS. Ngô Văn Thanh Viện Vật Lý
VÔ TUYẾN ĐIỆN ĐẠI CƯƠNG TS. Ngô Văn Thanh Viện Vật Lý Hà Nội - 2016 2 Tài liệu tham khảo [1] David B. Rutledge, The Electronics of Radio (Cambridge University Press 1999). [2] Dennis L. Eggleston, Basic
More informationCHƯƠNG 4: MICROSOFT POWERPOINT /05/13 NHẬP MÔN TIN HỌC 1
CHƯƠNG 4: MICROSOFT POWERPOINT 2010 25/05/13 NHẬP MÔN TIN HỌC 1 Giới thiệu PowerPoint 2010 là một phần mềm trình chiếu, cho phép tạo các slide động có thể bao gồm hình ảnh, tường thuật, hình ảnh, video
More informationPhân tích nội lực giàn thép phẳng
Phân tích nội lực giàn thép phẳng 1. Miêu tả vấn đề Ví dụ thực tế tính toán kết cấu công trình bằng phần mềm ABAQUS Có một kết cấu giàn phẳng có kích thước như hình vẽ 1.55, chân giàn bên trái liên kết
More informationHƯỚNG DẪN SỬ DỤNG RESET MẬT KHẨU USB TOKEN
HƯỚNG DẪN SỬ DỤNG RESET MẬT KHẨU USB TOKEN 1. Hướng dẫn cài đặt môi trường trước khi sử dụng phần mềm Để sử dụng hệ thống này, Quý khách vui lòng cài đặt: Bước 1: Cài đặt Java 6 hoặc 7 với hệ điều hành
More informationSQL Tổng hợp (Dùng Database NorthWind đểthực hiện các bài tập này)
Lab SQL SQL Tổng hợp (Dùng Database NorthWind đểthực hiện các bài tập này) 1. SELECT Câu 1. Hiển thịcác cột: CategoryID, CategoryName và Description trong table Categories theo chiều giảm dần của CategoryName.
More informationGiao tiếp cổng song song
Giao tiếp cổng song song Bởi: Phạm Hùng Kim Khánh Cấu trúc cổng song song Cổng song song gồm có 4 đường điều khiển, 5 đường trạng thái và 8 đường dữ liệu bao gồm 5 chế độ hoạt động: - Chế độ tương thích
More informationChương 3 Kỹ thuật mã hóa tín hiệu
Chương 3 Kỹ thuật mã hóa tín hiệu BK TP.HCM Dữ liệu số, tín hiệu số Dữ liệu số, tín hiệu tương tự Dữ liệu tương tự, tín hiệu số Dữ liệu tương tự, tín hiệu tương tự Tín hiệu analog Ba đặc điểm chính của
More informationChapter 3 Bipolar Junction Transistors (BJT)
Chapter 3 Bipolar Junction Transistors (BJT) Transistors In analog circuits, transistors are used in amplifiers and linear regulated power supplies. In digital circuits they function as electrical switches,
More informationBipolar Junction Transistors
Bipolar Junction Transistors Invented in 1948 at Bell Telephone laboratories Bipolar junction transistor (BJT) - one of the major three terminal devices Three terminal devices more useful than two terminal
More informationElectronic Circuits EE359A
Electronic Circuits EE359A Bruce McNair B206 bmcnair@stevens.edu 201-216-5549 Lecture 4 0 Bipolar Junction Transistors (BJT) Small Signal Analysis Graphical Analysis / Biasing Amplifier, Switch and Logic
More informationĐặng Thanh Bình. Chương 2 Sự lan truyền vô tuyến
Đặng Thanh Bình Chương 2 Sự lan truyền vô tuyến Nội dung Sóng vô tuyến (Radio wave) Sự lan truyền sóng vô tuyến Antenna Các cơ chế lan truyền (Propagation Mechanism) Các mô hình lan truyền (Propagation
More informationHOÀN THIỆN KỸ THUẬT NHÂN GIỐNG CAO SU CHỊU LẠNH VNg 77-2 VÀ VNg 77-4 Ở CÁC TỈNH MIỀN NÚI PHÍA BẮC
Hội thảo Quốc gia về Khoa học Cây trồng lần thứ nhất HOÀN THIỆN KỸ THUẬT NHÂN GIỐNG CAO SU CHỊU LẠNH VNg 77-2 VÀ VNg 77-4 Ở CÁC TỈNH MIỀN NÚI PHÍA BẮC TS. Nguyễn Văn Toàn Viện KHKT Nông Lâm nghiệp miền
More informationKOM2751 Analog Electronics :: Dr. Muharrem Mercimek :: YTU - Control and Automation Dept. 1 2 (CONT D - II) DIODE APPLICATIONS
KOM2751 Analog Electronics :: Dr. Muharrem Mercimek :: YTU - Control and Automation Dept. 1 2 (CONT D - II) DIODE APPLICATIONS Most of the content is from the textbook: Electronic devices and circuit theory,
More informationThe shape of the waveform will be the same, but its level is shifted either upward or downward. The values of the resistor R and capacitor C affect
Diode as Clamper A clamping circuit is used to place either the positive or negative peak of a signal at a desired level. The dc component is simply added or subtracted to/from the input signal. The clamper
More informationBJT AC Analysis CHAPTER OBJECTIVES 5.1 INTRODUCTION 5.2 AMPLIFICATION IN THE AC DOMAIN
BJT AC Analysis 5 CHAPTER OBJECTIVES Become familiar with the, hybrid, and hybrid p models for the BJT transistor. Learn to use the equivalent model to find the important ac parameters for an amplifier.
More informationĐã xong sử dụng Explicit, giờ đến lượt Implicit Intent. Trước khi đi vào ví dụ, hãy dạo qua 1 chút kiến thức về Intent Filter và vai trò của nó.
Đã xong sử dụng Explicit, giờ đến lượt Implicit Intent. Trước khi đi vào ví dụ, hãy dạo qua 1 chút kiến thức về Intent Filter và vai trò của nó. Intent Filter là gì Activity, Service và BroadCast Receiver
More informationECE 334: Electronic Circuits Lecture 2: BJT Large Signal Model
Faculty of Engineering ECE 334: Electronic Circuits Lecture 2: BJT Large Signal Model Agenda I & V Notations BJT Devices & Symbols BJT Large Signal Model 2 I, V Notations (1) It is critical to understand
More informationMối quan hệ giữa khoảng cách kinh tế, khoảng cách địa lý và xuất khẩu của công ty con tại Việt Nam
Tạp chí Khoa học ĐHQGHN: Kinh tế và Kinh doanh, Tập 32, Số 1 (2016) 48-56 Mối quan hệ giữa khoảng cách kinh tế, khoảng cách địa lý và xuất khẩu của tại Việt Nam Võ Văn Dứt * Trường Đại học Cần Thơ, Khu
More informationFigure1: Basic BJT construction.
Chapter 4: Bipolar Junction Transistors (BJTs) Bipolar Junction Transistor (BJT) Structure The BJT is constructed with three doped semiconductor regions separated by two pn junctions, as in Figure 1(a).
More informationĐIỀU KHIỂN BỘ NGHỊCH LƯU NỐI LƯỚI TRONG MẠNG ĐIỆN PHÂN PHỐI
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TRẦN QUANG THỌ ĐIỀU KHIỂN BỘ NGHỊCH LƯU NỐI LƯỚI TRONG MẠNG ĐIỆN PHÂN PHỐI TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SỸ NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN MÃ SỐ:
More informationVnDoc - Tải tài liệu, văn bản pháp luật, biểu mẫu miễn phí Unit 5: Are they your friends - Họ là bạn của bạn phải không
Unit 5: Are they your friends - Họ là bạn của bạn phải không Ngữ pháp: Unit 5 - Are they your friends 1. Ôn lại đại từ nhân xưng Định nghĩa: Đại từ nhân xưng (Personal pronouns) là các đại từ được dùng
More informationC H A P T E R 6 Bipolar Junction Transistors (BJTs)
C H A P T E R 6 Bipolar Junction Transistors (BJTs) Figure 6.1 A simplified structure of the npn transistor and pnp transistor. Table 6.1: BJT modes of Operation Mode EBJ CBJ Cutoff Reverse Reverse Active
More informationTổng quan về Bảng câu hỏi điều tra than hàng năm Hội thảo về Cơ sở pháp lý cho thu thập dữ liệu Năng lượng ở Việt Nam - IEA/APERC Hà Nội, 03/12/2015
Tổng quan về Bảng câu hỏi điều tra than hàng năm Hội thảo về Cơ sở pháp lý cho thu thập dữ liệu Năng lượng ở Việt Nam - IEA/APERC Hà Nội, 03/12/2015 Người lập: Julian Smith, IEA Người trình bày: Edito
More informationỨng dụng các mô hình VAR và VECM trong phân tích tác động của tỷ giá lên cán cân thương mại Việt Nam Nguyễn Đức Hùng Học viện Chính trị-
Ứng dụng các mô hình VAR và VECM trong phân tích tác động của tỷ giá lên cán cân thương mại Việt Nam 1999-2012. Nguyễn Đức Hùng Học viện Chính trị- Hành chính KvI Email: hungftu89@gmail.com Phần 1. Lý
More informationĐộ an toàn chứng minh được của lược đồ chữ ký FIAT-SHAMIR dựa trên ý tưởng của POINTCHEVAL
Độ an toàn chứng minh được của lược đồ chữ ký FIAT-SHAMIR dựa trên ý tưởng của POINTCHEVAL Triệu Quang Phong, Võ Tùng Linh Tóm tắt Trong bài báo này, chúng tôi phân tích độ an toàn chứng minh được đối
More informationBạn có thể tham khảo nguồn tài liệu được dịch từ tiếng Anh tại đây: Thông tin liên hệ:
Khi đọc qua tài liệu này, nếu phát hiện sai sót hoặc nội dung kém chất lượng xin hãy thông báo để chúng tôi sửa chữa hoặc thay thế bằng một tài liệu cùng chủ đề của tác giả khác. Bạn có thể tham khảo nguồn
More informationBipolar Junction Transistors (BJTs)
C H A P T E R 6 Bipolar Junction Transistors (BJTs) Figure 6.1 A simplified structure of the npn transistor and pnp transistor. Table 6.1: BJT modes of Operation Mode Cutoff Active Saturation EBJ Reverse
More information(a) BJT-OPERATING MODES & CONFIGURATIONS
(a) BJT-OPERATING MODES & CONFIGURATIONS 1. The leakage current I CBO flows in (a) The emitter, base and collector leads (b) The emitter and base leads. (c) The emitter and collector leads. (d) The base
More informationChapter Two "Bipolar Transistor Circuits"
Chapter Two "Bipolar Transistor Circuits" 1.TRANSISTOR CONSTRUCTION:- The transistor is a three-layer semiconductor device consisting of either two n- and one p-type layers of material or two p- and one
More informationActi 9 Contactor ict. Control & Signalling
Acti 9 Contactor ict Modular CT contactors are used to control single-phase, three-phase and four-phase circuits (up to A) Current rating: to A (category AC7a) Coil voltage, 30/0 VAC Công tắc tơ dạng module
More informationSeries S LV switchboards Catalogue 2012
Series S L switchboards Catalogue 202 ULL TYPE TEST SWITCBOARDS SYSTEM Thông tin chung General Information Tủ điện hạ thế Series S là tủ điện đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng đòi hỏi mức độ cao về hiệu
More informationTài liệu này được dịch sang tiếng việt bởi:
Tài liệu này được dịch sang tiếng việt bởi: Từ bản gốc: https://drive.google.com/folderview?id=0b4rapqlximrdunjowgdzz19fenm&usp=sharing Liên hệ để mua: thanhlam1910_2006@yahoo.com hoặc frbwrthes@gmail.com
More informationmục lục Chất lượng sản phẩm tốt là nền tảng cho sự tồn tại và phát triển của CADIVI
mục lục A. Khả năng truyền tải dòng điện và các điều kiện cần thiết 3 khi lắp đặt cáp trung thế 1. Chọn lựa tiết diện cáp 3 2. Hướng dẫn bảo quản, lưu kho, vận chuyển và sử dụng cáp 19 3. Các yêu cầu lắp
More informationBanking Tariff 2016 Biểu Phí Ngân Hàng 2016
Page1 Business Banking KHỐI DOANH NGHIỆP VỪA VÀ NHỎ Banking Tariff 2016 Biểu Phí Ngân Hàng 2016 Standard Tariff Biểu Phí Chuẩn Page2 \ Content/ Nội Dung Cash Management: Account Services Quản Lý Tiền Tệ:
More informationChapter Three " BJT Small-Signal Analysis "
Chapter Three " BJT Small-Signal Analysis " We now begin to examine the small-signal ac response of the BJT amplifier by reviewing the models most frequently used to represent the transistor in the sinusoidal
More informationET215 Devices I Unit 4A
ITT Technical Institute ET215 Devices I Unit 4A Chapter 3, Section 3.1-3.2 This unit is divided into two parts; Unit 4A and Unit 4B Chapter 3 Section 3.1 Structure of Bipolar Junction Transistors The basic
More informationSTUDY OF SUDDEN IONOSPHERIC DISTURBANCES USING VERY LOW FREQUENCY RECEIVER IN NHA TRANG, VIETNAM
Tạp chí Khoa học và Công nghệ 54 (1) (2016) 82-91 STUDY OF SUDDEN IONOSPHERIC DISTURBANCES USING VERY LOW FREQUENCY RECEIVER IN NHA TRANG, VIETNAM Vinh Hao *, Tong Van Tuat, Ngo Van Tam Nha Trang Institute
More informationElectronic Troubleshooting
Electronic Troubleshooting Chapter 3 Bipolar Transistors Most devices still require some individual (discrete) transistors Used to customize operations Interface to external devices Understanding their
More informationLecture 24: Bipolar Junction Transistors (1) Bipolar Junction Structure, Operating Regions, Biasing
Lecture 24: Bipolar Junction Transistors (1) Bipolar Junction Structure, Operating Regions, Biasing BJT Structure the BJT is formed by doping three semiconductor regions (emitter, base, and collector)
More informationBipolar Junction Transistor (BJT) Basics- GATE Problems
Bipolar Junction Transistor (BJT) Basics- GATE Problems One Mark Questions 1. The break down voltage of a transistor with its base open is BV CEO and that with emitter open is BV CBO, then (a) BV CEO =
More informationTransistor electronic technologies
Transistor electronic technologies Bipolar Junction Transistor discrete or integrated circuit discrete = individual component MOS (Metal-Oxide-Silicon) Field Effect Transistor mainly used in integrated
More informationCông ty phần mềm Cửu Long Dịch vụ thiết kế website,phần mềm CRM
CAE Writing Sample Paper Test yourself. Complete the sample paper in the time allocated. PART 1 You must answer this question. Write your answer in 180 220 words in an appropriate style on the opposite
More informationR a) Draw and explain VI characteristics of Si & Ge diode. (8M) b) Explain the operation of SCR & its characteristics (8M)
SET - 1 1. a) Define i) transient capacitance ii) Diffusion capacitance (4M) b) Explain Fermi level in intrinsic and extrinsic semiconductor (4M) c) Derive the expression for ripple factor of Half wave
More informationBipolar Junction Transistors (BJTs) Overview
1 Bipolar Junction Transistors (BJTs) Asst. Prof. MONTREE SIRIPRUCHYANUN, D. Eng. Dept. of Teacher Training in Electrical Engineering, Faculty of Technical Education King Mongkut s Institute of Technology
More informationTransistor fundamentals Nafees Ahamad
Transistor fundamentals Nafees Ahamad Asstt. Prof., EECE Deptt, DIT University, Dehradun Website: www.eedofdit.weebly.com Transistor A transistor consists of two PN junctions formed by sandwiching either
More informationECE321 Electronics I Fall 2006
ECE321 Electronics I Fall 2006 Professor James E. Morris Lecture 11 31 st October, 2006 Bipolar Junction Transistors (BJTs) 5.1 Device Structure & Physics 5.2 I-V Characteristics Convert 5.1 information
More information7. Bipolar Junction Transistor
41 7. Bipolar Junction Transistor 7.1. Objectives - To experimentally examine the principles of operation of bipolar junction transistor (BJT); - To measure basic characteristics of n-p-n silicon transistor
More informationHƯỚNG DẪN SỬ DỤNG POWERPOINT 2003
HƯỚNG DẪN SỬ DỤNG POWERPOINT 2003 Mục lục PHẦN 1:... 3 TẠO MỘT BẢN TRÌNH BÀY... 3 I. Tạo một bản trình bày... 3 II. Cách tạo nội dung 1 slide... 5 III. Lưu một bản trình bày... 8 IV. Thêm slide mới...
More informationLecture 3: Transistors
Lecture 3: Transistors Now that we know about diodes, let s put two of them together, as follows: collector base emitter n p n moderately doped lightly doped, and very thin heavily doped At first glance,
More informationQUY HOẠCH VÙNG PHỦ SÓNG DVB-T2 TẠI QUẢNG TRỊ
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ NGUYỄN THANH NAM QUY HOẠCH VÙNG PHỦ SÓNG DVB-T2 TẠI QUẢNG TRỊ LUẬN VĂN THẠC SĨ NGHÀNH: CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ-VIỄN THÔNG Huế - 2015 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG
More informationChapter 5 Transistor Bias Circuits
Chapter 5 Transistor Bias Circuits Objectives Discuss the concept of dc biasing of a transistor for linear operation Analyze voltage-divider bias, base bias, and collector-feedback bias circuits. Basic
More informationCác vấn đề thường gặp khi thực hiện thủ tục hải quan tại Việt Nam. Industrial Park Series Thứ Sáu, ngày 27 tháng 10 năm 2017 KCN Amata City Bien Hoa
Các vấn đề thường gặp khi thực hiện thủ tục hải quan tại Industrial Park Series Thứ Sáu, ngày 27 tháng 10 năm 2017 KCN Amata City Bien Hoa Chương trình thảo luận 10:00-10:20 Môi trường thủ tục hải quan
More informationSpeaking - Sample Interview
Speaking - Sample Interview PART 1 3 minutes (5 minutes for groups of three) Good morning/afternoon/evening. My name is and this is my colleague. And your names are? Can I have your mark sheets, please?
More informationThe Bipolar Junction Transistor- Small Signal Characteristics
The Bipolar Junction Transistor- Small Signal Characteristics Debapratim Ghosh deba21pratim@gmail.com Electronic Systems Group Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology Bombay
More informationPart ILectures Bipolar Junction Transistors(BJTs) and Circuits
University of missan Electronic II, Second year 2015-2016 Part ILectures Bipolar Junction Transistors(BJTs) and Circuits Assistant Lecture: 1 Bipolar Junction Transistors (BJTs) Bipolar Junction Transistors
More informationTransistors and Applications
Chapter 17 Transistors and Applications DC Operation of Bipolar Junction Transistors (BJTs) The bipolar junction transistor (BJT) is constructed with three doped semiconductor regions separated by two
More informationElectronics EECE2412 Spring 2017 Exam #2
Electronics EECE2412 Spring 2017 Exam #2 Prof. Charles A. DiMarzio Department of Electrical and Computer Engineering Northeastern University 30 March 2017 File:12198/exams/exam2 Name: : General Rules:
More informationI C I E =I B = I C 1 V BE 0.7 V
Guide to NPN Amplifier Analysis Jason Woytowich 1. Transistor characteristics A BJT has three operating modes cutoff, active, and saturation. For applications, like amplifiers, where linear characteristics
More informationBJT. Bipolar Junction Transistor BJT BJT 11/6/2018. Dr. Satish Chandra, Assistant Professor, P P N College, Kanpur 1
BJT Bipolar Junction Transistor Satish Chandra Assistant Professor Department of Physics P P N College, Kanpur www.satish0402.weebly.com The Bipolar Junction Transistor is a semiconductor device which
More informationChương 1 GIỚI THIỆU CHUNG
1 Nội dung chương 1 Chương 1 GIỚI THIỆU CHUNG Phạm Quang Dũng Bộ môn Khoa học máy tính - Khoa CNTT Trường Đại học Nông nghiệp I Hà Nội website: www.hau1.edu.vn/it/pqdung ĐT: (04) 8766318 DĐ: 0988.149.189
More informationNong Lam University. Industrial Robotic. Master PHUC NGUYEN Christian ANTOINE 06/10/2012
Nong Lam University Industrial Robotic Master PHUC NGUYEN phucnt@hcmuaf.edu.vn Christian ANTOINE Christian.antoine@univ-lyon1.fr Sébastien HENRY sebastien.henry@univ-lyon1.fr 1 Robotics and Vision Industrial
More informationHỗ trợ Tài chính (Các cơ sở Bệnh viện) Ban Kiểm soát & Tuân thủ của Hội đồng Quản trị BSWH
Tiêu Đề: Đường Dây Của Phòng/Dịch Vụ: (Những) Người Phê Duyệt: Địa Điểm/Khu Vực/Bộ Phận: Số Tài Liệu: Hỗ trợ Tài chính (Các cơ sở Bệnh viện) Quản lý Chu trình Doanh thu Ban Kiểm soát & Tuân thủ của Hội
More informationChapter 3: Bipolar Junction Transistors
Chapter 3: Bipolar Junction Transistors Transistor Construction There are two types of transistors: pnp npn pnp The terminals are labeled: E - Emitter B - Base C - Collector npn 2 Transistor Operation
More informationEmitter base bias. Collector base bias Active Forward Reverse Saturation forward Forward Cut off Reverse Reverse Inverse Reverse Forward
SEMICONDUCTOR PHYSICS-2 [Transistor, constructional characteristics, biasing of transistors, transistor configuration, transistor as an amplifier, transistor as a switch, transistor as an oscillator] Transistor
More informationChapter 3. Bipolar Junction Transistors
Chapter 3. Bipolar Junction Transistors Outline: Fundamental of Transistor Common-Base Configuration Common-Emitter Configuration Common-Collector Configuration Introduction The transistor is a three-layer
More informationBILINGUAL APHASIA TEST
Patient's identification: Date of assessment: Duration: from to Test administrator: Michel Paradis McGill University BILINGUAL APHASIA TEST PART C Vietnamese English bilingualism Song ngữ Việt Anh Part
More informationThe George Washington University School of Engineering and Applied Science Department of Electrical and Computer Engineering ECE 20 - LAB
The George Washington University School of Engineering and Applied Science Department of Electrical and Computer Engineering ECE 20 - LAB Experiment # 6 (Part I) Bipolar Junction Transistors Common Emitter
More informationREVIEW TRANSISTOR BIAS CIRCUIT
EVIEW TANSISTO BIAS CICUIT OBJECTIVES Discuss the concept of dc biasing of a transistor for linear operation Analyze voltage-divider bias, base bias, and collectorfeedback bias circuits. Basic troubleshooting
More informationModule-1 BJT AC Analysis: The re Transistor Model. Common-Base Configuration
Module-1 BJT AC Analysis: BJT AC Analysis: BJT AC Analysis: BJT Transistor Modeling, The re transistor model, Common emitter fixed bias, Voltage divider bias, Emitter follower configuration. Darlington
More informationATLCE - A3 01/03/2016. Analog and Telecommunication Electronics 2016 DDC 1. Politecnico di Torino - ICT School. Lesson A3: BJT Amplifiers
Politecnico di Torino - ICT School Analog and Telecommunication Electronics A3 BJT Amplifiers»Biasing» Output dynamic range» Small signal analysis» ltage gain» Frequency response AY 2015-16 Biasing Output
More informationNghiên cứu các hình thái tổn thương do điện trong giám định y pháp
Tạp chí Khoa học ĐHQGHN: Khoa học Y Dược, Tập 33, Số 2 (2017) 115-119 Nghiên cứu các hình thái tổn thương do điện trong giám định y pháp Lưu Sỹ Hùng 1,*, Phạm Hồng Thao 3, Nguyễn Mạnh Hùng 1, Nguyễn Huệ
More informationBasic Electronics Prof. Dr. Chitralekha Mahanta Department of Electronics and Communication Engineering Indian Institute of Technology, Guwahati
Basic Electronics Prof. Dr. Chitralekha Mahanta Department of Electronics and Communication Engineering Indian Institute of Technology, Guwahati Module: 2 Bipolar Junction Transistors Lecture-1 Transistor
More informationKINH TẾ QUỐC TẾ (INTERNATIONAL ECONOMICS)
KINH TẾ QUỐC TẾ (INTERNATIONAL ECONOMICS) 4- Rào cản phi thuế quan trong thương mại quốc tế Non-tariff Barriers in International Trade ThS. Hồ Kim Thi Khoa Địa lý Trường ĐHKHXH&NV TP.HCM Email: hokimthi@gmail.com
More informationTutorial 2 BJTs, Transistor Bias Circuits, BJT Amplifiers FETs and FETs Amplifiers. Part 1: BJTs, Transistor Bias Circuits and BJT Amplifiers
Tutorial 2 BJTs, Transistor Bias Circuits, BJT Amplifiers FETs and FETs Amplifiers Part 1: BJTs, Transistor Bias Circuits and BJT Amplifiers 1. Explain the purpose of a thin, lightly doped base region.
More informationLab 4. Transistor as an amplifier, part 2
Lab 4 Transistor as an amplifier, part 2 INTRODUCTION We continue the bi-polar transistor experiments begun in the preceding experiment. In the common emitter amplifier experiment, you will learn techniques
More informationPhản ứng của lớp D tầng điện ly vùng vĩ độ thấp đối với bùng nổ sắc cầu Mặt trời trong năm 2014
Tạp chí Các Khoa học về Trái Đất, 37 (3), 275-283 (VAST) Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam Tạp chí Các Khoa học về Trái Đất Website: http://www.vjs.ac.vn/index.php/jse Phản ứng của lớp D tầng
More informationEE105 Fall 2015 Microelectronic Devices and Circuits
EE105 Fall 2015 Microelectronic Devices and Circuits Prof. Ming C. Wu wu@eecs.berkeley.edu 511 Sutardja Dai Hall (SDH) 11-1 Transistor Operating Mode in Amplifiers Transistors are biased in flat part of
More informationBJT Circuits (MCQs of Moderate Complexity)
BJT Circuits (MCQs of Moderate Complexity) 1. The current ib through base of a silicon npn transistor is 1+0.1 cos (1000πt) ma. At 300K, the rπ in the small signal model of the transistor is i b B C r
More informationLaserJet Pro M402, M403
LaserJet Pro M40, M403 Hướng dẫn Sử dụng HEWLETT-PACKARD 1 M40n M40dn M40dne M40dw M403n M403d M403dn M403dw www.hp.com/support/ljm40 www.hp.com/support/ljm403 HP LaserJet Pro M40, M403 Hướng dẫn Sử dụng
More informationEXPERIMENT 5 CURRENT AND VOLTAGE CHARACTERISTICS OF BJT
EXPERIMENT 5 CURRENT AND VOLTAGE CHARACTERISTICS OF BJT 1. OBJECTIVES 1.1 To practice how to test NPN and PNP transistors using multimeter. 1.2 To demonstrate the relationship between collector current
More informationLecture (06) Bipolar Junction Transistor
Lecture (06) Bipolar Junction Transistor By: Dr. Ahmed lshafee ١ Agenda BJT structure BJT operation BJT characteristics ٢ BJT structure The BJT is constructed with three doped semiconductor regions One
More informationChapter 3: TRANSISTORS. Dr. Gopika Sood PG Govt. College For Girls Sector -11, Chandigarh
Chapter 3: TRANSISTORS Dr. Gopika Sood PG Govt. College For Girls Sector -11, Chandigarh OUTLINE Transistors Bipolar Junction Transistor (BJT) Operation of Transistor Transistor parameters Load Line Biasing
More informationBipolar junction transistors.
Bipolar junction transistors. Third Semester Course code : 15EECC202 Analog electronic circuits (AEC) Team: Dr. Nalini C Iyer, R.V. Hangal, Sujata N, Prashant A, Sneha Meti AEC Team, Faculty, School of
More informationDesign dual band microstrip antenna for RFID application
VNU Journal of Science, Natural Sciences and Technology 26 (2010) 276-280 Design dual band microstrip antenna for RFID application Tran Minh Tuan National Institute of Information and Communications Strategy,
More informationUNIT-1 Bipolar Junction Transistors. Text Book:, Microelectronic Circuits 6 ed., by Sedra and Smith, Oxford Press
UNIT-1 Bipolar Junction Transistors Text Book:, Microelectronic Circuits 6 ed., by Sedra and Smith, Oxford Press Figure 6.1 A simplified structure of the npn transistor. Microelectronic Circuits, Sixth
More informationDiode conducts when V anode > V cathode. Positive current flow. Diodes (and transistors) are non-linear device: V IR!
Diodes: What do we use diodes for? Lecture 5: Diodes and Transistors protect circuits by limiting the voltage (clipping and clamping) turn AC into DC (voltage rectifier) voltage multipliers (e.g. double
More informationquản lý nhất trong doanh nghiệp. việc dùng người, coi đây là một trong những điều kiện tiên quyết của thành công: Thiên
Tạp chí Khoa học ĐHQGHN, Kinh tế và Kinh doanh, Tập 29, Số 4 (2013) 24-34 Quản trị nguồn nhân lực và sự gắn kết của người lao động với doanh nghiệp Phạm Thế Anh *, Nguyễn Thị Hồng Đào * Trường Đại học
More informationSố tháng 9 năm 2017 TÓM TẮT
Số tháng 9 năm 2017 Ths. Hoàng Công Tuấn Trưởng bộ phận kinh tế vĩ mô T: 0915591954 E: Tuan.Hoangcong@mbs.com.vn Trương Hoa Minh Institutional Client Services (ICS) T: Minh.TruongHoa@mbs.com.vn MBS Vietnam
More informationModule 2. B.Sc. I Electronics. Developed by: Mrs. Neha S. Joshi Asst. Professor Department of Electronics Willingdon College, Sangli
Module 2 B.Sc. I Electronics Developed by: Mrs. Neha S. Joshi Asst. Professor Department of Electronics Willingdon College, Sangli BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR SCOPE OF THE CHAPTER- This chapter introduces
More informationProf. Anyes Taffard. Physics 120/220. Diode Transistor
Prof. Anyes Taffard Physics 120/220 Diode Transistor Diode One can think of a diode as a device which allows current to flow in only one direction. Anode I F Cathode stripe Diode conducts current in this
More informationCENTURION UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND MANAGEMENT SCHOOL OF ENGINEERING & TECHNOLOGYDEPARTMENT OF ELECTRONICS & COMMUNICATION ENGINEERING
CENTURION UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND MANAGEMENT SCHOOL OF ENGINEERING & TECHNOLOGYDEPARTMENT OF ELECTRONICS & COMMUNICATION ENGINEERING ELECTRONIC DEVICES Section: ECE SEM: II PART-A 1. a) In a N-type
More informationCỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự do - Hạnh phúc SƠ YẾU LÝ LỊCH
Bản dịch CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự do - Hạnh phúc SƠ YẾU LÝ LỊCH 1. Họ và tên: Jens Holger Wohlthat Giới tính: Nam 2. Ngày tháng năm sinh: 22/09/1957 Nơi sinh: Frankfurt Am Main,
More informationPhysics 623 Transistor Characteristics and Single Transistor Amplifier Sept. 12, 2017
Physics 623 Transistor Characteristics and Single Transistor Amplifier Sept. 12, 2017 1 Purpose To measure and understand the common emitter transistor characteristic curves. To use the base current gain
More informationTransistor Biasing Nafees Ahamad
Transistor Biasing Nafees Ahamad Asstt. Prof., EECE Deptt, DIT University, Dehradun Website: www.eedofdit.weebly.com Introduction The basic function of transistor is to do amplification. (CE connection)
More informationCác giao thức định tuyến OSPF
Các giao thức định tuyến OSPF Giao thức định tuyến OSPF u OSPF là một giao thức định tuyến theo liên kết trạng thái được triển khai dựa trên các chuẩn mở. u Thuật toán đòi hỏi các nút mạng có đầy đủ thông
More informationPoverty Situation Analysis Of Ethnic Minorities in Vietnam
CEMA Poverty Situation Analysis Of Ethnic Minorities in Vietnam 2007-2012 Key Findings from Quantitative Study Sub-PRPP Project - CEMA Hanoi, Dec. 2013 1 2 This is primary report 1 of the UNDP-supported
More informationPhysics of Bipolar Transistor
Physics of Bipolar Transistor Motivations - In many electronic applications, amplifier is the most fundamental building block. Ex Audio amplifier: amplifies electric signal to drive a speaker RF Power
More informationNGHIÊN CỨU ĐẶC ĐIểM LÂM SÀNG CHẢY MÁU NỘI SỌ DO VỠ PHÌNH ĐỘNG MẠCH THÔNG TRƯỚC TẠI KHOA THẦN KINH BỆNH VIỆN BẠCH MAI
NGHIÊN CỨU ĐẶC ĐIểM LÂM SÀNG CHẢY MÁU NỘI SỌ DO VỠ PHÌNH ĐỘNG MẠCH THÔNG TRƯỚC TẠI KHOA THẦN KINH BỆNH VIỆN BẠCH MAI TS. Nguyễn Văn Liệu - BV Bạch Mai TÓM TẮT Mục tiêu: Tìm hiểu các biểu hiện lâm sàng
More informationAnalog and Telecommunication Electronics
Politecnico di Torino - ICT School Analog and Telecommunication Electronics A3 BJT Amplifiers»Biasing» Output dynamic range» Small signal analysis» Voltage gain» Frequency response 12/03/2012-1 ATLCE -
More information