PH75A280-* RELIABILITY DATA 信頼性データ

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Margaret Fleming
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1 RELIABILITY DATA 信頼性データ TDKLambda C

2 INDEX PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R1 2. 部品ディレーティング Components Derating R3 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R5 4. アブノーマル試験 Abnormal Test R7 5. 振動試験 Vibration Test R9 6. 衝撃試験 Shock Test R10 7. ノイズシミュレート試験 Noise Simulate Test R12 8. はんだ耐熱性試験 Resistance to Soldering Heat Test R13 9. 熱衝撃試験 Thermal Shock Test R 高温貯蔵試験 High Temperature Storage Test R 低温貯蔵試験 Low Temperature Storage Test R 高温加湿通電試験 High Temperature and High Humidity Bias Test R 高温連続通電試験 High Temperature Bias Test R22 試験結果は代表データでありますが全ての製品はほぼ同等な特性を示します従いまして以下の結果は参考値とお考え願います Test results are typical data. Nevertheless the following results are considered to be reference data because all units have nearly the same characteristics. TDKLambda

3 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF MODEL : PH75A2805, PH75A28048 (1) 算出方法 Calculating Method Telcordia の部品ストレス解析法 (*1) で算出されています故障率 λ SS はそれぞれの部品ごとに電気ストレスと動作温度によって計算されます Calculated based on parts stress reliability projection of Telcordia (*1). Individual failure rateλ SS is calculated by the electric stress and temperature rise of the each device. *1: Telcordia (Bellcore) Reliability Prediction Procedure for Electronic Equipment (Document number TR332, Issue5) < 算出式 > 1 MTBF = l l SSi = l Gi equip p Qi = p p Si m E i = 1 p å Ti 1 N i l SSi 10 9 時間 (hours) λequip : 全機器故障率 (FITs) Total Equipment failure rate (FITs = Failures in10 9 hours) λgi :i 番目の部品に対する基礎故障率 Generic failure rate for the i th device πqi :i 番目の部品に対する品質ファクタ Quality factor for the i th device πsi :i 番目の部品に対するストレスファクタ Stress factor for the i th device πti :i 番目の部品に対する温度ファクタ Temperature factor for the i th device m : 異なる部品の数 Number of different device types Ni :i 番目の部品の個数 Quantity of i th device type πe : 機器の環境ファクタ Equipment environmental factor TDKLambda R1

4 (2) MTBF 値 MTBF Values (2)1 PH75A2805 条件 Conditions 入力電圧 :280VDC 出力電流 : 15A (100%) Input Voltage Output Current 環境ファクタ : GB (Ground, Benign) Environment Factor MTBF vs. Baseplate temperature Baseplate temperature MTBF 25 3,532,905 (hours) 40 2,106,034 (hours) ,037 (hours) ,539 (hours) MTBF(hours) 10,000,000 1,000, ,000 10, Baseplate temperature ( ) (2)2 PH75A28048 条件 Conditions 入力電圧 :280VDC 出力電流 : 1.6A (100%) Input Voltage Output Current 環境ファクタ : GB (Ground, Benign) Environment Factor MTBF vs. Baseplate temperature Baseplate temperature MTBF 25 3,559,278 (hours) 40 2,170,065 (hours) ,541 (hours) ,582 (hours) MTBF(hours) 10,000,000 1,000, ,000 10, Baseplate temperature ( ) TDKLambda R2

5 2. 部品ディレティング Components Derating MODEL : PH75A2805, PH75A28048 (1) 算出方法 Calculating Method (a) 測定条件 Measuring Conditions 入力電圧 : 280VDC Input Voltage 出力電流 : 5V 15A (100%) Output Current 48V 1.6A(100%) 取付方法 : 標準取付 ( 放熱器有 ) Mounting Method Standard Mounting Method (with Heatsink) ベスプレート温度 : 100 Baseplate Temperature (b) 半導体 Semiconductors ケス温度消費電力および熱抵抗より使用状態の接合点温度を求め最大定格との比較を行いました The maximum rating temperature is compared with junction temperature which is calculated based on case temperature, power dissipation and thermal impedance. (c) IC 抵抗コンデンサ等 IC, Resistors, Capacitors, etc. 周囲温度使用状態消費電力など個々の値は設計基準内に入っています Ambient temperature, operating condition, power dissipation, etc are within derating criteria. (d) 熱抵抗算出方法 Calculating Method of Thermal Impedance q = T j(max) T j c Pc(max) c q = T j(max) T j a Pc(max) a q j l = T P j(max) c(max) T l Tc : ディレティングの始まるケス温度一般に 25 Case Temperature at Start Point of Derating;25 in General Ta : ディレティングの始まる周囲温度一般に 25 Ambient Temperature at Start Point of Derating;25 in General Tl : ディレティングの始まるリード温度一般に 25 Lead Temperature at Start Point of Derating;25 in General Pc(max) (Pch(max)) : 最大コレクタ ( チャネル ) 損失 Maximum Collector(Channel) Dissipation Tj(max) (Tch(max)) : 最大接合点温度 Maximum Junction(Channel) Temperature θjc (θchc) : 接合点からケスまでの熱抵抗 Thermal Impedance between Junction(Channel) and Case θja (θcha) : 接合点から周囲までの熱抵抗 Thermal Impedance between Junction(Channel) and Air θjl (θchl) : 接合点からリードまでの熱抵抗 Thermal Impedance between Junction(Channel) and Lead TDKLambda R3

6 (2) 部品ディレーティング表 Components Derating List (2)1 PH75A2805 部品番号部品名最大定格使用状態ディレーティング率 Location No. Part Name MAX Rating Actual Rating Derating Factor Q3 CHIP TRANSISTER Tch(max): Tch: % Q4 CHIP TRANSISTER Tch(max): Tch: % Q101 CHIP MOS FET Tch(max): Tch: % Q102 CHIP MOS FET Tch(max): Tch: % Q152 CHIP DIODE Tj(max): Tj: % D151 CHIP DIODE Tj(max): Tj: % D5 CHIP DIODE Tj(max): Tj: % D6 CHIP DIODE Tj(max): Tj: % A1 CHIP IC Tj(max): Tj: % PC2 CHIP COUPLER Tj(max): Tj: % (2)2 PH75A28048 部品番号部品名最大定格使用状態ディレーティング率 Location No. Part Name MAX Rating Actual Rating Derating Factor Q3 CHIP TRANSISTER Tch(max): Tch: % Q4 CHIP TRANSISTER Tch(max): Tch: % Q101 CHIP MOS FET Tch(max): Tch: % Q102 CHIP MOS FET Tch(max): Tch: % D151 CHIP DIODE Tj(max): Tj: % D152 CHIP DIODE Tj(max): Tj: % D5 CHIP DIODE Tj(max): Tj: % D6 CHIP DIODE Tj(max): Tj: % A1 CHIP IC Tj(max): Tj: % PC2 CHIP COUPLER Tj(max): Tj: % TDKLambda R4

7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List MODEL : PH75A2805, PH75A28048 (1) 測定条件 Measuring Conditions 測定方法 Measurement Method ベースプレート温度測定方法 Baseplate Temperature Measurement Method 入力側 Input 出力側 Output 周囲温度測定方法 Ambient Temperature Measurement Method 入力電圧 Input Voltage 出力電圧 Output Voltage 出力電流 Output Current ベースプレート温度 Baseplate Temperature 周囲温度 Ambient Temperature 5VDC 15A (100%) 280VDC VDC 1.6A(100%) ΔTCP: 周囲温度 85 においてベースプレート温度が 100 となる放熱条件としその時のベースプレート温度を基準とした各部品の T( ベースプレートと部品との温度差 ) を表したもの Temperature difference between a case of each component and baseplate, fitted power supply with heatsink to be maintained 100 (baseplate temperature) at 85 (ambient temperature). TDKLambda R5

8 (2) 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise ΔT List (2)1 PH75A2805 部品番号部品名温度上昇値 ΔTCP Location No. Part Name Temperature Rise ( ) Q3 CHIP TRANSISTER 9.1 Q4 CHIP TRANSISTER 5.1 Q101 CHIP MOS FET 1.2 Q102 CHIP MOS FET 5.2 D151 CHIP DIODE 7.2 Q151 CHIP DIODE 6.3 D5 CHIP DIODE 9.1 D6 CHIP DIODE 8.8 A1 CHIP IC 8.8 PC2 CHIP COUPLER 0.3 (2)2 PH75A28048 部品番号部品名温度上昇値 ΔTCP Location No. Part Name Temperature Rise ( ) Q3 CHIP TRANSISTER 8.1 Q4 CHIP TRANSISTER 5.6 Q101 CHIP MOS FET 2.6 Q102 CHIP MOS FET 9.7 D151 CHIP DIODE 2.8 D152 CHIP DIODE 3.1 D5 CHIP DIODE 7 D6 CHIP DIODE 8.2 A1 CHIP IC 5.8 PC2 CHIP COUPLER 0 TDKLambda R6

9 4. アブノーマル試験 Abnormal Test MODEL : PH75A28048 (1) 試験条件及び回路 Test Condition and Circuit 入力電圧 :425VDC 出力電流 :1.6A(100%) Input Voltage Output Current ベースプレート温度 :25 ブリッジダイオード (D1) :PGH758A( 日本インター ) Baseplate Temperature Bridge Diode (NIHON INTER) 電解コンデンサ (C1) :450V 8000μF 電解コンデンサ (C2) :450V 470μF Electrolytic Cap. Electrolytic Cap. セラミックコンデンサ (C3) :100V 2.2μF 電解コンデンサ (C4) :50V 220μF 2series Ceramic Cap. Electrolytic Cap. (2) 試験結果 ( Test Results ) (2)1 PH75A28048 試験試験結果 Test Results 試験箇所モード Test Point Test Fi:Fire So:Smoke Bu:Burst Se:Smell Re:Red Hot No. Mode Da:Damaged Fu:Fuse Blown NO:No Output NC:No Change Ot:Others 試験 S O ヒ部品端子 H P 発発破異発破ュ O O 出変そ備考 Location Test O E V C 力化の No. Terminal R N 火煙裂臭熱損ズ P P 断な他 Note T 断し Fi So Bu Se Re Da Fu NO NC Ot 1 GD 2 DS Da:SH101,A1,Q101,Z1,Z2,Q1,R41 Da:SH101,A1,Q101,R41 3 GS Q101 4 G 5 D 6 S 7 GD 8 DS 9 GS Q G 11 D 12 S 13 AK 14 K D A1 16 A2 17 AK 18 K D A1 20 A2 Da:Q102,SH101,Q101,Z1,Z2,Q1,A2 Da:Q102,SH101,Q101,Z1,Z2,Q1 Da:Q102,SH101,Q101,Z1,Z2,Q1,A2 Da:,Q102,SH101,D152 Efficiency Down Efficiency Down Da:,Q102,SH101 Efficiency Down Efficiency Down TDKLambda R7

10 試験試験結果 Test Results 試験箇所モード Test Point Test Fi:Fire So:Smoke Bu:Burst Se:Smell Re:Red Hot No. Mode Da:Damaged Fu:Fuse Blown NO:No Output NC:No Change Ot:Others 試験 S O ヒ部品端子 H P 発発破異発破ュ O O 出変そ備考 Location Test O E V C 力化の No. Terminal R N 火煙裂臭熱損ズ P P 断な他 Note T 断し Fi So Bu Se Re Da Fu NO NC Ot Vo down Da:Q102,A1,C4,R7,R8,R23,SH A L L Da:A1,R7,R8,SH Da:Q102,R7,R8,A1,SH101 Da:Q1,Q4,Q101,D1,D7,Z1,Z2,Z6,A1,A2,R35 T Efficiency Down 49 5 Efficiency Down 50 6 Da:Q102,R7,R8,A1,SH Da:Q102,R7,R8,A1,SH101 TDKLambda R8

11 5. 振動試験 Vibration Test MODEL : PH75A28048 (COMMON PH150A280) (1) 振動試験種類 Vibration Test Class 掃引振動数耐久試験 Frequency Variable Endurance Test (2) 使用振動試験装置 Equipment Used 東菱科技試験装置 ES30370 DONGLING TECH Test Equipment (3) 供試品台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PH150A28048 : 3 台 (unit) (4) 試験条件 Test Conditions 周波数範囲 : 10~55Hz Sweep Frequency 掃引時間 : 1 分間 Sweep Time 1 min. 振幅 : 0.825mm ( 一定 ) Amplitude 0.825mm (constant) 振幅方向 : X, Y, Z Directions 試験時間 : 各方向 1 時間 Test Time : 1 hour each (5) 試験方法 Test Method 供試品を基板に取付け (M3 ビスで 4 箇所固定 ) それを取付台に固定する Fix the D.U.T. on the circuit board ( fitting by four M3tappedholes) and fit it on the fittingstage. 150mm 250mm Z 16mm 供試品 D.U.T. (Device Under Test) 取付台 Fitting stage Y 振動方向 Direction X 振動試験機 Vibrator (6) 試験結果 Test Results 合格試験条件 Test Conditions 入力電圧 :280VDC 出力電流 :3.2A(100%) ベースプレート温度 :25 Input Voltage Output Current Baseplate Temperature 測定確認項目出力電圧 (V) リップル電圧 (mvpp) 機構実装状態 Check Item Output Voltage Ripple Voltage D.U.T. State 試験前 Before Test 試験後 After Test 異常無し TDKLambda R9

12 6. 衝撃試験 Shock Test MODEL : PH75A28048 (COMMON PH150A280) (1) 使用衝撃試験装置 Equipment Used 東菱科技試験装置 ES30370 DONGLING TECH Test Equipment (2) 供試品台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PH150A28048 : 3 台 (unit) (3) 試験条件 Test Conditions 加速度 : 196.1m/s 2 振幅方向 : X, Y, Z Acceleration Directions 試験時間 : 11 msec 回数 : + 方向に各 3 回 Test Time Number of Times 3 times each for +, direction (4) 試験方法 Test Method 供試品を基板に取付け (M3 ビスで 2 箇所固定 ) それを取付台に固定する Fix the D.U.T. on the circuit board ( fitting by two M3tappedholes) and fit it on the fittingstage. 115mm 150mm 供試品 D.U.T. (Device Under Test) Z 取付台 Fitting stage Y 振動方向 Direction X 振動試験機 Vibrator TDKLambda R10

13 (5) 試験結果 Test Results 合格試験条件 Test Conditions 入力電圧 : 48 V 出力電流 : 3.2A 電源周囲温度 : 25 Input Voltage Output Current Ambient Temperature PH150A28048 測定確認項目 Check Item 出力電圧 Output Voltage リップル電圧 Ripple Voltage 入力変動 Line Regulation 負荷変動 Load Regulation 外観 Appearance mvpp 86.0 mv 6.7 試験前 BeforeTest No.1 試験後試験前試験後試験前試験後 After Before After Before After Test Test Test Test Test V No mv No TDKLambda R11

14 7. ノイズシミュレト試験 Noise Simulate Test MODEL : PH75A280 (1) 試験回路及び測定器 Test Circuit and Equipment ノイズシミュレーター :INS400L( ノイズ研究所株式会社 ) Noise Simulator (Noise Laboratory Co.,LTD) ブリッジダイオード (D1) :D35BA60 電解コンデンサ (C6) :450V 22μF Bridge Diode (SHINDENGEN) Electrolytic Cap. 電解コンデンサ (C1) :450V 560μF セラミックコンデンサ (C7,C8) :250VAC 6800pF Electrolytic Cap. Ceramic Cap. チョークコイル (L1) :0.6mH セラミックコンデンサ (C9) :630V 22000pF Choke coil Ceramic Cap. チョークコイル (L2) :3.0mH セラミックコンデンサ (C10) :100V 2.2μF Choke coil Ceramic Cap. フィルムコンデンサ (C2,C5) :250VAC 1.5μF 電解コンデンサ (C11) 5V :10V 2200μF Film Cap. Electrolytic Cap. 12V :25V 560μF セラミックコンデンサ (C3,C4) :250VAC 470pF 24V :50V 220μF Ceramic Cap. 48V :50V 220μF 2series (2) 試験条件 Test Conditions 入力電圧 : 280VDC ノイズ電圧 : 0V ~ 2kV Input Voltage Noise Level 出力電圧 : 定格位相 : 0 ~ 360 Output Voltage Rated Phase shift 出力電流 : PH75A A(100%) 極性 : +, Output Current PH75A A(100%) Polarity PH75A A(100%) 印加モード : ノーマルコモン PH75A A(100%) Mode Normal,Common ベースプレート温度 : 25 トリガ選択 : Line Baseplate Temperature Trigger Select パルス幅 : 50ns~1000ns Pulse Width (3) 供試品台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PH75A 台 (unit) PH75A 台 (unit) PH75A 台 (unit) PH75A 台 (unit) (4) 判定条件 Acceptable Conditions 1. 破壊しない事 Not to be damaged 3. その他異常のない事 No other abnormalities 2. 出力がダウンしない事 No output shut down (5) 試験結果 Test Result PH75A2805 PH75A28012 PH75A28024 PH75A28048 合格合格合格合格 TDKLambda R12

15 8. はんだ耐熱性試験 Resistance to Soldering Heat Test MODEL : PH75A28048 (COMMON PH150A280) (1) 使用装置 Machine Used 自動はんだ付け装置 : TLC350XIV ( セイテック ) Automatic Dip Soldering Machine (SEITEC) (2) 供試体台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PH150A28048 : 1 台 (unit) (3) 試験条件 Test Conditions 溶融はんだ温度 :260 予備加熱温度 :120 Dip Soldering Temperature Preheating Temperature 浸漬保持時間 :10 秒間予備加熱時間 :60 秒間 Dip Time 10 seconds Preheating Time 60 seconds (4) 試験方法 Test Method 初期測定の後供試体を基板にのせ自動はんだ付装置でフラックス浸漬予備加熱はんだ付を行う常温常湿下に 1 時間放置し出力に異常がない事を確認する Check if there is no abnormal output before test. Then fix the D.U.T. on a circuit board, transfer to fluxdipping, preheat and solder in the automatic dip soldering machine. Leave it for 1 hour at the room temperature, then check if there is no abnormal output. (5) 試験結果 Test Results 試験条件 Test Conditions 入力電圧 :280VDC 出力電流 : 3.2A(100%) ベースプレート温度 :25 Input Voltage Output Current Baseplate Temperature PH150A28048 測定確認項目 Check Item 出力電圧 Output Voltage リップル電圧 Ripple Voltage 入力変動 Line Regulation 負荷変動 Load Regulation 絶縁抵抗 Isolation Resistance 耐電圧 Withstand Voltage 外観 Appearance V mvpp mv mv 試験前 Before Test 試験後 After Test TDKLambda R13

16 9. 熱衝撃試験 Thermal Shock Test MODEL : PH75A2805 (COMMON PH100A280) (1) 使用計測器 Equipment Used THERMAL SHOCK CHAMBER TSA101SW (ESPEC CORP.) (2) 供試体台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PH100A2805 : 10 台 (units) (3) 試験条件 Test Conditions 電源周囲温度 : Ambient Temperature 試験時間 : 30 min. 30 min. Test Time 1 cycle min min. 試験サイクル : サイクル Test Cycles 100, 200 cycles 非動作 Not Operating (4) 試験方法 Test Method 初期測定の後供試体を試験槽に入れ上記サイクルで試験を行うサイクル後に供試体を常温常湿下に 1 時間放置し出力に異常がない事を確認する Before the test check if there is no abnormal output and put the D.U.T. in the testing chamber. Then test it in the above cycles. After the test is completed leave it for 1 hour at room temperature and check if there is no abnormal output. (5) 試験結果 Test Results 合格測定データは次頁に示す See next page for measuring data. TDKLambda R14

17 (5)1 PH100A 出力電圧 Output Voltage(V) 試験サイクル Test cycle (Cycle) 効率 Efficiency (%) 試験サイクル Test cycle (Cycle) 30 リップル電圧 Ripple Voltage(mVpp) 試験サイクル Test cycle (Cycle) 入力変動 Line Regulation(mV) 試験サイクル Test cycle (Cycle) 負荷変動 Load Regulation(mV) 試験サイクル Test cycle (Cycle) TDKLambda R15

18 10. 高温貯蔵試験 High Temperature Storage Test MODEL : PH75A28048 (COMMON PH150A280) (1) 使用計測器 Equipment Used TEMP.& HUMID. CHAMBER SH661 (ESPEC CORP.) (2) 供試体台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PH150A28048 : 1 台 (units) (3) 試験条件 Test Conditions 電源周囲温度 :100 試験時間 :100 時間非動作 Ambient Temperature Test Time 100 hours Not Operating (4) 試験方法 Test Method 初期測定の後供試体を試験槽に入れ槽の温度を室温 (25 ) から規定の温度 (100 ) まで徐々に上げる供試体を規定温度で 100 時間放置し常温常湿下に 1 時間放置した後出力に異常がない事を確認する Check if there is no abnormal output before test. Then fix the D.U.T. in testing chamber, and the chamber temperature is gradually increased from 25 to 100. Leave the D.U.T. For 100 hours at 100 and for 1 hour at the room temperature, then check if there is no abnormal output. TDKLambda R16

19 (5) 試験結果 Test Results 合格試験条件 Test Conditions 入力電圧 : 280VDC 出力電流 : 3.2A(100%) ベースプレート温度 : 25 Input Voltage Output Current Baseplate Temperature 測定確認項目 Check Item 出力電圧 Output Voltage リップル電圧 Ripple Voltage 入力変動 Line Regulation 負荷変動 Load Regulation 絶縁抵抗 Isolation Resistance 耐電圧 Withstand Voltage 外観 Appearance V mvpp mv mv 試験前 Before Test No.1 試験後 After Test TDKLambda R17

20 11. 低温貯蔵試験 Low Temperature Storage Test MODEL : PH75A28048 (COMMON PH150A280) (1) 使用計測器 Equipment Used TEMP.& HUMID. CHAMBER SH661 (ESPEC CORP.) (2) 供試体台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PH150A28048 : 1 台 (units) (3) 試験条件 Test Conditions 電源周囲温度 : 40 試験時間 :100 時間非動作 Ambient Temperature Test Time 100 hours Not Operating (4) 試験方法 Test Method 初期測定の後供試体を試験槽に入れ槽の温度を室温 (25 ) から規定の温度 (40 ) まで徐々に下げる供試体を規定温度で 100 時間放置し常温常湿下に 1 時間放置した後出力に異常がない事を確認する Check if there is no abnormal output before test. Then fix the D.U.T. in testing chamber, and the chamber temperature is gradually decreased from 25 to 40. Leave the D.U.T. for 100 hours at 40 and for 1 hour at the room temperature, then check if there is no abnormal output. TDKLambda R18

21 (5) 試験結果 Test Results 試験条件 Test Conditions 入力電圧 : 280VDC 出力電流 : 3.2A(100%) ベースプレート温度 : 25 Input Voltage Output Current Baseplate Temperature 測定確認項目 Check Item 出力電圧 Output Voltage リップル電圧 Ripple Voltage 入力変動 Line Regulation 負荷変動 Load Regulation 絶縁抵抗 Isolation Resistance 耐電圧 Withstand Voltage 外観 Appearance V mvpp 試験前 Before Test 合格 No.1 試験後 After Test mv mv TDKLambda R19

22 12. 高温加湿通電試験 High Temperature and High Humidity Bias Test MODEL : PH75A2805 (COMMON PH100A280) (1) 使用計測器 Equipment Used TEMP.& HUMID. CHAMBER PSL2KPH (ESPEC CORP.) (2) 供試体台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PH100A2805 : 3 台 (units) (3) 試験条件 Test Conditions ベースプレート温度 :100 湿度 : 95%RH 試験時間 : 500 時間 Baseplate Temperature Humidity Test Time 500 hours 入力電圧 :280VDC 出力電圧 : 定格出力電流 : 0A(0%) Input Voltage Output Voltage Rated Output Current (4) 試験方法 Test Method 初期測定の後供試体を試験槽に入れ槽の温度を室温 (25 ) からベースプレート温度が規定の温度 (100 ) になるまで徐々に上げる供試体を規定の条件にて 500 時間動作させ常温常湿下に 1 時間放置した後出力に異常がない事を確認する Check if there is no abnormal output before test. Then fix the D.U.T. in testing chamber, and the baseplate temperature is gradually increased from 25 to 100. Operate the D.U.T. for 500 hours according to above conditions and leave D.U.T for 1 hour at the room temperature, then check if there is no abnormal output. TDKLambda R20

23 (5) 試験結果 Test Results 合格試験条件 Test Conditions 入力電圧 : 280VDC 出力電流 : 20A(100%) ベースプレート温度 : 25 Input Voltage Output Current Baseplate Temperature 測定確認項目 Check Item 出力電圧 Output Voltage リップル電圧 Ripple Voltage 入力変動 Line Regulation 負荷変動 Load Regulation 絶縁抵抗 Isolation Resistance 耐電圧 Withstand Voltage 外観 Appearance V mvpp mv mv No.1 No.2 No.3 試験前試験後試験前試験後試験前試験後 Before After Before After Before After Test Test Test Test Test Test TDKLambda R21

24 13. 高温連続通電試験 High Temperature Bias Test MODEL : PH75A28048 (COMMON PH150A280) (1) 供試体台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PH150A28048 : 2 台 (unit) (2) 試験条件 Test Conditions ベースプレート温度 :100 Baseplate Temperature 入力電圧 :280VDC Input Voltage 試験時間 :500 時間 Test Time 500 hours 出力電圧 : 定格 Output Voltage Rated 出力電流 :48V 3.2A(100%) Output Current (3) 試験方法 Test Method 初期測定の後供試体を規定の条件にて 500 時間動作させ常温常湿下に 1 時間放置した後出力に異常がない事を確認する Check if there is no abnormal output before test. Operate the D.U.T. for 500 hours according to avobe conditions and leave D.U.T for 1 hour at the room temperature, then check if there is no abnormal output. (4) 試験結果 Test Results 合格試験条件 Test Conditions 入力電圧 :280VDC 出力電流 :48V 3.2A(100%) ベースプレート温度 : 25 Input Voltage Output Current Baseplate Temperature PH150A28048 測定確認項目 Check Item 出力電圧 Output Voltage V リップル電圧 Ripple Voltage mvpp 入力変動 Line Regulation mv 負荷変動 Load Regulation mv 絶縁抵抗 Isolation Resistance 耐電圧 Withstand Voltage 外観 Appearance 試験前試験後試験前試験後 Before After Before After Test Test Test Test TDKLambda R22

TDK Lambda A /9

TDK Lambda A /9 A265 58 0 /9 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000 4 3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験